AI热潮下，存储行业进入“超级周期”

如今，我国处理器和处理器的研制和发展已经进入了一个新的阶段。如果研发单位能够支持内存研发单位，开发基于创新内存结构的新架构的信息处理产品将是市场和技术上非常重要的任务。 “一天一个价格，甚至一天多个价格。”深圳华强北的仓储贸易商这样描述近期的市场状况。 11月，闪存龙头Sandisk宣布大幅上调NAND闪存合约价，涨幅高达50%。这至少是今年第三次涨价。 Sandisk于4月份宣布全系列提价10%，并于9月初实施全面提价10%后，单月涨幅超50%，超出市场预期。相关机构预测，12月合约价格仍将保持上涨趋势。在这种情况下，更多存储领导者迅速跟进价格上涨。由于采购成本上升，目前创见等存储模组厂商也从11月7日起暂停报价和发货。该公司董事长舒崇万公开表示，AI正在全面带动动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存的需求增加。业内普遍认为，存储涨价周期与以往不同，将开始“过剩周期”。在供需剧变和工业电力平衡链调整的推动下，正在发生深刻变化。供需失衡导致价格上涨。记者发现，存储龙头频繁涨价的主要原因是供需失衡。 AI革命以前所未有的力量重塑了存储行业的市场需求格局。邵光禄 专家咨询委员会常务副主任中国互联网协会专家表示，代理商发展很快，各个应用（APP）的代理商拥有率增长很快；每个人拥有和使用的代理数量也在快速增长；代理的数量将超过应用程序的规模和人员的规模。 “存储价格上涨的直接原因是近年来人工智能的爆发，引发了人工智能数据中心建设的投资。”深圳理工大学计算与微电子学院院长唐志敏表示，智能计算中心不仅需要采购大量中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）等计算芯片，还需要配置大量存储。特别是AI服务器的存储需求是普通服务器的很多倍。单台AI服务器存储配置达到1.7TB，同时传统服务器只有0.5TB。这直接带动高带宽内存（HBM）、第五代内存（DDR5）和企业级固态硬盘（SSD）的差距扩大。为了满足AI服务器的需求，三星、SK海力士等海外厂商纷纷加大DDR5、HBM等高利润高端产品的产能。然而，HBM的产能扩张远远落后于需求增长。媒体报道称，SK海力士2026年底前的HBM产能已被主要AI客户提前锁定，将三星不足10%的HBM产能留给中小厂商。与此同时，由于产能向高端产品转移，第四代内存（DDR4）等传统存储产品产能持续萎缩。但大量现有服务器和部署的新服务器规模仍然较大，依赖于成熟稳定的DDR4内存，供应大幅减少，导致供应超过需求和价格。 DDR4半年累计涨幅超过200%，服务器用DDR4近一个月涨幅达30%至70%。出现了“上一代产品价格超过新一代”的异常现象——DDR4的价格甚至是DDR5的两倍。此外，行业竞争格局也在发生重大变化。存储巨头已从规模竞争转向深层次技术竞争，定价权更加集中在拥有先进技术的厂商身上。比如，SK海力士2026年全系列存储订单已经售出，2026年涨价可能会持续。 下游产业链式反应 存储价格的持续上涨引发了下游产业链式反应。具体来说，模块存储工厂位于原存储工厂的下游里。通过购买存储晶圆并进行设计、封装和测试，将标准存储颗粒转化为终端存储产品。它是产业链的关键环节，最先带来上游价格的上涨。采访中，记者从深圳市百威存储科技有限公司和深圳市朗科科技有限公司两家公司了解到，他们的产品紧跟市场趋势，“上游的涨价也传导到了下游”。在此市场形势下，多家领先组件厂商决定暂停出货并重新评估报价。唐志敏坦言：“内存厂商一看到需求增加就会趁机涨价，这是完全可以理解的。”随着价格浪潮的上涨，投资者也开始关注存储领域。 11月以来，超半存储概念股获得融资资金增发站点。其中，月内有6只个股获得融资净买入过亿元，包括江波龙、德明力、兴森科技、兆易创新等，原有海外存储厂商盈利能力持续增强。一些国内存储模组企业迅速扭亏为盈。预计2025年下半年盈利将加速释放。同时，存储价格上涨也引发了业界对数据中心、消费电子等行业成本结构的“冷思考”。 “存储价格上涨将对使用大量内存的服务器等数据中心产品产生较大影响，而对消费电子产品影响相对较小。”唐志敏表示，“从社会角度来看，数据中心建设成本的增加至少可以延缓一些盲目上马的时间。对于建设项目，相关方面可以考虑是否建议“存储价格上涨的更深层次原因在于半导体行业的内部矛盾。”唐志敏表示，处理器（CPU、GPU等）和存储器（DRAM、NAND闪存等）是信息技术基础设施的两大主要组成部分，虽然它们对半导体行业同样重要，但存储行业有望复苏。在产品开发上，两者在产业链中的地位完全不同，处理器的统治地位和存储器处于从属地位，这成为了双方在收入分配上的潜在博弈点。e 常见产品。这种因产品短缺而引发的哈拉加认知转变可能会重塑存储行业，打破存储产品低迷、不参与的状态。业内人士分析，“AI重构”下存储市场也将从消费驱动转向技术驱动。由于大型模型训练和抢占保存对内存容量的需求，HBM和DDR5内存的短缺也可以传导到整个存储产业链。市场形势倒逼国内存储企业迎难而上，在挑战中抓住高端突破的机遇。深圳华强北的存储企业家麦敏对此持乐观态度。 “我们要相信国内存储企业，他们的技术也在不断迭代，国外龙头企业对存​​储市场的垄断可能会被打破，从几家占主导地位的企业到百家争鸣的企业。”他说。这记者了解到，目前被誉为国内“存储双雄”的长鑫科技和长江存储也都在扩大产能。其中，长鑫科技正在引领DRAM国产化进程，长江存储则试图在三维闪存（3D NAND）方面实现技术突破。 “如今，中国的处理器研发和内存研发已经进入了新的阶段。”唐志敏表示，“如果研发单位能够支持内存研发单位，开发基于创新内存结构的新架构信息处理产品，无论是在市场还是技术上都将是一项非常重要的工作。” 记者 罗云鹏 来源：科技日报 （编辑：何鑫）